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DRAMメモリーモジュール

Results per page 91872 | Sort by Price Highest / Lowest
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AQD-D3L4GN16-SG1
MEMORY MODULE, 4G DDR3-1600 512X8 1.35V & 1.5V SAM
  1. DDR3 1600Mhz Unbuffered DIMM
  2. 30μ" gold plating thickness
  3. 1.35V power consumption
  4. Samsung original chip
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AQD-SD3L2GN16-SQ1
MEMORY MODULE, 2G SO-DDR3-1600 256X8 1.35V&1.5V SAM
  1. DDR3 1600Mhz Unbuffered SO-DIMM
  2. 30μ" gold plating thickness
  3. 1.35V power consumption
  4. Samsung original chip

¥6,390

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AQD-SD3L4GN16-SG
4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G)
  1. DDR3-1600 SO-DIMM
  2. 204-Pin
  3. 512MX8
  4. Samsung Chip
  5. Gross Weight:0.007 KG

¥8,020

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AQD-SD3L4GN16-SG1
MEMORY MODULE, 4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM
  1. DDR3 1600Mhz Unbuffered SO-DIMM
  2. 30μ" gold plating thickness
  3. 1.35V power consumption
  4. Samsung original chip

¥7,590

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AQD-SD3L8GN16-SG
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V 1.5V SAM(G)
  1. 8G SO-DDR3-1600
  2. 1.35V 1.5V
  3. DDR3-1600 SO-DIMM
  4. 204-Pin
  5. 512MX8
  6. Samsung Chip

¥15,230

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AQD-SD3L8GN16-SG1
MEMORY MODULE, 8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM
  1. DDR3 1600Mhz Unbuffered SO-DIMM
  2. 30μ" gold plating thickness
  3. 1.35V power consumption
  4. Samsung original chip

¥14,700

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AQD-SD3L8GN16-SGW
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃
  1. 30u" Gold Plating Thickness
  2. Anti-sulfurization resistance
  3. Samsung original chip
  4. Wide Temp. -40C to +85C
  5. 100% tested for stability, compatibility and performance

¥15,430

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